12月16日、米商務省が12月13日に発表した声明によると、米政府はボッシュとの間でCHIPS法に基づく補助金について拘束力のない予備覚書を締結し、ボッシュのカリフォルニア州ウエハー製造工場改修プロジェクトに2億2,500万ドル（約16億3,900万人民元）の直接資金と3億5,000万ドル（約25億4,900万人民元）の融資を行う計画であることが報じられた。

2023年、ボッシュはTSIセミコンダクターズを買収し、カリフォルニア州ロズウェルにあるTSIの8インチ（200mm）ウエハー工場の所有権を獲得し、この工場をSiCシリコンカーバイド生産施設に転換し、2026年に生産を開始することを目標としていると発表した。

カリフォルニア州ロズウェルのウエハーファブは、ボッシュにとって米国初の半導体製造施設です。19億ドル（約138億3,700万人民元）を投じたこの改修プロジェクトでは、最先端のシリコンカーバイド（SiC）製造プロセスが導入されます。米国商務省によると、フル稼働時にはこのファブでボッシュのSiC半導体の大部分が生産され、米国におけるSiCデバイス生産能力の40%以上を占めると予想されています。

ボッシュは、直接的な資金提供と融資に加え、適格資本支出の25％に相当する先進製造投資クレジットを米国財務省に申請する予定です。

ボッシュのモバイルエレクトロニクス部門社長、マイケル・ブッデ氏は次のように述べています。

米国でのシリコンカーバイドチップの製造は、当社の半導体ポートフォリオを強化し、地元の顧客をサポートするための戦略計画の重要な部分です。

シリコンカーバイドチップは、バッテリー電気自動車（BEV）やプラグインハイブリッド電気自動車（PHEV）の走行距離の延長と充電効率の向上に役立ち、消費者に手頃な価格の電気自動車の選択肢を提供します。（蘇波）