2月18日、TheElecは、サムスンのチップ部門責任者が先週、米国にあるNVIDIA本社を自ら訪問したと報じました。訪問の目的は、主に高帯域幅メモリ（HBM）向けに設計されたサムスンの最新1b DRAMチップのサンプルを披露することでした。

情報筋によると、NVIDIAは昨年、Samsungに対し1b DRAMの設計改良を依頼しており、今回展示されたサンプルはNVIDIAの要求に基づいた改良の結果である。Samsungのデバイスソリューション（DS）部門の責任者が顧客にサンプルを直接デモンストレーションするのは異例のことだ。

注目すべきは、サムスンが昨年HBMの生産に1b DRAMを使用する計画だったが、歩留まりと過熱の問題に直面したことだ。このDRAMは第5世代10nm製品に属し、主にHBM3Eに使用されている。これらの問題により、サムスンはHBM3E 8Hと12Hの生産に1b DRAMの前身である1a DRAMへの切り替えを計画し、HBM4の生産には1b DRAMをスキップして直接1c DRAMを使用する予定だった。しかし、Nvidiaが1b DRAMの使用を主張したため、サムスンは計画を再調整する必要があった。今回のサムスン副会長兼DS部門責任者であるYoung Hyun Jun氏の訪問は、サムスンがNvidiaのHBM3Eの受注を確実に獲得できる可能性を高めるだろう。

現在、サムスンの競合企業であるSK Hynixはすでに1b DRAMを使用して製造されたHBM3E 12HチップをNvidiaに供給しており、MicronもNvidiaのAIアクセラレータに必要なHBMチップの生産をまもなく開始すると予想されています。

サムスンは先月、「改良版」HBM3Eの準備が順調に進んでおり、今年第2四半期に量産・出荷を開始する予定であると発表した。DS部門の責任者であると同時にメモリ事業の責任者でもあるYoung Hyun Jun氏は、DRAMの専門家として1b DRAMの設計改良を主導したとみられている。

1月のCESで、NVIDIAのCEOであるジェンスン・フアン氏は、SamsungがNVIDIAの認定を受けるにはHBM（ハードウェアボディマネジメント）システムを再設計する必要があると述べた。(Yuanyang)