生成型人工知能技術の急速な発展により、中国のメモリ市場における地位はますます強固になり、莫大な成長の可能性を示しています。

市場調査会社カウンターポイント・リサーチの最近のレポートによると、中国のメモリメーカーである長鑫メモリテクノロジーズ（CXMT）は、技術の進歩と国際的な規制の課題の面で依然として困難に直面しているものの、同社は技術革新と市場拡大を通じて、世界の業界リーダーとの差を徐々に縮めているという。

カウンターポイント・リサーチは、2024年までに長鑫メモリが世界のDRAM生産能力の13%、出荷量の約6%、売上高の約3.7%を占めると予測しています。また、2025年までに長鑫メモリの生産能力は米国のメモリ大手マイクロンの生産能力に近づくと予測しています。

現在、長鑫メモリの生産量と売上高は、主に技術の遅れ、低い歩留まり、そして価格戦略により、比較的低い水準にあります。しかし、これらの差は徐々に縮まっていくと予想されています。2024年には、長鑫メモリのウェハ1枚あたりの生産量は競合他社より42%低くなると予測されており、2025年にはこの差は32%に縮小すると予想されています。

しかしながら、カウンターポイント・リサーチは、長鑫メモリーが自社製品の消費電力と速度をさらに向上させるためには、高誘電体金属ゲート（HKMG）トランジスタ技術の開発と適用に成功する必要があるとも強調している。

カウンターポイント・リサーチのリサーチディレクター、MS Hwang氏は、中国のメモリ産業の台頭が世界の市場構造を一変させる可能性があると述べた。技術革新と歩留まり向上には依然として課題が残るものの、生成AIや電気自動車といった新興アプリケーションからの需要拡大は、中国が低中価格帯メモリ市場において確固たる地位を築く上で役立つだろう。

さらに、長鑫メモリは高帯域幅メモリ（HBM）の研究開発と生産を積極的に進めています。同社は第1世代HBMの生産能力を増強するとともに、第2世代HBM2においても大きな進歩を遂げ、顧客へのサンプル出荷を開始しています。長鑫メモリは今年半ばまでにHBM2の小規模量産を開始できる見込みです。（Suky）